參數(shù)資料
型號： 2SJ247
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 47K
代理商： 2SJ247
2SJ247
5
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse Drain Current I (A)
R
r
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10 –20
0.5
10
20
50
100
200
500
di/dt = 50 A/ s
V = 0
Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
10000
3000
1000
300
100
30
100
–10
–20
–30
–40
–50
Drain to Source Voltage V (V)
C
Ciss
Coss
Crss
V = 0, f = 1 MHz
Dynamic Input Characteristics
0
–20
–40
–60
–80
–1000
10
Gate Charge Qg (nc)
20
30
40
50
0
–4
–8
–12
–16
–20
D
D
V = –10 V
–25 V
–50 V
–50 V
–25 V
V = –10 V
V
I = –8 A
DS
G
G
V
GS
Switching Characteristics
Drain Current I (A)
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
5
10
20
50
100
200
500
S
t
t
td
V = –10 V, V = –30 V
Pw = 2 s, duty 1%
td
f
r
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PDF描述
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