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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ217-E |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 45 A, 60 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SC-65, TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | 2SJ217-E |
2SJ217
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6
–100
0
–20
–40
–60
–80
0
Source to Drain Voltage
VSD
(V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
Pulse Test
–10 V
–5 V
VGS = 0, 5 V
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
90%
10%
tf
Switching Time Test Circuit
Waveform
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γs
(t)
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
PDM
PW
T
D =
PW
T
θch – c (t) = γ s (t) θch – c
θch – c = 0.83°C/W, Tc = 25°C
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
–10 V
RL
Vout
Monitor
50
VDD
= –30 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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