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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ215 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | 2SJ215 |
2SJ215
7
1,000
Drain Current I
D
(A)
S
500
10
100
200
–1
20
Switching Characteristics
t
d (off)
–2
–10 –20
–5
–50 –100
t
f
t
r
t
d (on)
V
GS
= –10 V, PW = 5
μ
s
V
DD
=
50
<
–100
–1.0
–2.5
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
–80
–0.5
–1.5
–2.0
–40
–60
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
0
–20
–5 V
–10 V
V
GS
= 0,5 V
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 1.0°C/W, T
C
= 25°C
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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