參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ182S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： 2SJ182S
2SJ182(L), 2SJ182(S)
5
–2.5
–4
–10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
V
D
–2
–0.5
–2
–6
–8
0
–1
–1.5
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
–2 A
–5 A
I
D
= –1 A
Pulse Test
5
–1
–20
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
2
0.1
–0.5
–2
–10
–0.2
0.5
1.0
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.2
0.05
–5
–10 V
V
GS
= –4 V
Pulse Test
1.0
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
)
0.8
0.2
0
80
120
0
–40
0.4
0.6
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
I
D
= –1, –2 A
–5 A
V
GS
= –10 V
V
GS
= –4 V
–5 A
–2 A
–1 A
Pulse Test
10
–0.2
Drain Current I
D
(A)
–5
F
y
5
0.5
–0.1
–0.5
–2
0.1
–0.05
1
2
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
T
C
= 25°C
75°C
–25°C
V
= –10 V
Pulse Test
0.2
–1
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PDF描述
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