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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ181L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 2SJ181L |
2SJ181(L), 2SJ181(S)
5
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
2
1
0.2
0.5
0.1
0.02
0.05
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
V = –20 V
Pulse Test
Tc = –25 °C
75 °C
25 °C
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
1000
200
500
100
20
50
10
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
di / dt = 100 A / μs
V = 0, Ta = 25 °C
0
–10
–20
–30
-40
–50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
1000
300
100
30
10
3
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ181S | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ182 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ181 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ182L | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ182S | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ181-L-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ181L-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ181S | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:P-Channel MOS FET For High-Speed Switching |
| 2SJ181STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ181STR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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