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參數資料
| 型號： | 2SH19 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel IGBT |
| 中文描述： | 硅N溝道IGBT的 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 2SH19 |
100
75
50
25
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
0
Collector to Emitter Voltage V (V)
200
400
600
800
100
10
1
0.01
0.1
Tc = 25 °C
C
C
Reverse Bias SOA
50
40
30
20
10
0
4
2
6
8
10
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
C
V = 15 V
12 V
10 V
8 V
6 V
Pulse Test
Ta = 25 °C
Typical Output Characteristics
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
C
Ta = 25 °C
DCOpeaion
1m
10μ
PW=1 m( ht
Maximum Safe Operation Area
3
2SH19
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SH20 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH21 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH22 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH26 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 2SH27 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SH20 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH21 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH22 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH26 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 2SH27 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
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