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參數資料
| 型號： | 2SD863 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 封裝： | MP, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 2SD863 |
2SB764/2SD863
No.575–2/4
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* : The SB764/2SD863 are classified by 50mA hFE as follows :
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hFE -- IC
ITR08350
23
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IC -- VCE
ITR08345
--1000
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IB=0
--10mA
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--4mA
--3mA
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IC -- VCE
ITR08346
1000
800
600
400
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IB=0
2SD863
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IC -- VCE
ITR08347
--1000
--800
--600
--400
--200
IB=0
--50mA --30mA --20mA
--10mA
--6mA
--4mA
--2mA
2SB764
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IC -- VCE
ITR08348
1000
800
600
400
200
IB=0
50mA
30mA
20mA
10mA
6mA
4mA
2mA
2SD863
IC -- VBE
ITR08349
400
200
0
1200
1000
800
600
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
00.2
VCE=2V
(For PNP, minus sign
is omitted.)
(For PNP, minus sign is omitted.)
2SD863
2SB764
VCE=2V
10mA
8mA
6mA
4mA
3mA
2mA
1mA
2SD863
2SB764
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB764-E | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB765(K) | POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB772-Y | 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB772-R | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB791K | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD863D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
| 2SD863E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
| 2SD863F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
| 2SD864 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 2SD864K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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