參數(shù)資料
型號： 2SD2704KT146
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SMT3, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 144K
代理商： 2SD2704KT146
2/4
www.rohm.com
○
c
2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.01 - Rev.B
Data Sheet
2SD2704K/2SD2705S
Electrical characteristics (Ta=25
C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
50
20
25
50
35
3.9
0.1
100
V
IC
=10μA
IC
=1mA
IE
=10μA
VCB
=50V
VEB
=25V
IC/IB
=30mA/3mA
VCE
=6V, IE= 4mA, f=10MHz
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
V
μA
hFE
820
2700
VCE
=2V, IC=4mA
mV
MHz
pF
Ron
0.7
IB
=5mA, Vi=100mV(rms), f=1kHz
Ω
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
Output On-resistance
Measured using pulse current
Electrical characteristic curves
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.1
10
100
1000
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON)
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics (
Ι )
VCE
=2V
25
°C
40°C
Ta
=125°C
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
Fig.2 Grounded emitter propagation
characteristics (
ΙΙ )
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.1
10
100
1000
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON)
(V)
VCE
=6V
25
°C
40°C
Ta
=125°C
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
Ta
= 40
°C
Ta
=25
°C
Ta
=125
°C
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.3 DC current gain
vs. collector current ( )
VCE
=2V
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.4 DC current gain
vs. collector current (
)
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
Ta
= 40
°C
Ta
=25
°C
Ta
=125
°C
VCE
=6V
1
10
100
1000
1
100
10
1000
10000
Ta
= 40
°C
Ta
=25
°C
Ta
=125
°C
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current ( )
IC/IB
=10/1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(mV
)
1
10
100
1000
1
100
10
1000
10000
Ta
= 40
°C
Ta
=25
°C
Ta
=125
°C
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
IC/IB
=20/1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(mV
)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current ( )
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD2707T2LV 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2707T2LW 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2719(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans.NPN 60V 0.8A hfe2000min
2SD273 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 800V 5A 80W BEC
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