參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2691AR
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 450K
代理商： 2SD2691AR
Power Transistors
Publication date: September 2006
SJD00324AED
1
This product complies with RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SD2691A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplication
Complementary to 2SB1725A
Features
Wide safe operation area
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Absolute Maximum Ratings
Ta = 25
aa
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
80
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
6
V
Collector current
IC
3
A
Peak collector current *
ICP
5
A
Collector power dissipation
TC = 25°C
PC
20
W
2.0
W
Junction temperature
Tj
TT
150
°
C
Storage temperature
Tstg
TT
55 to +150
°
C
Note) *: Non-repetitive peak collector current
Electrical Characteristics
Ta = 25
aa
°
C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 30 mA, I
C
B = 0
80
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 80 V, IE = 0
EE
100
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 80 V, I
CE
B = 0
100
A
Emitter-base cutoff current (Collector open) *1
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
C
1
mA
Forward current transfer ratio *1
hFE1
hh *2
VCE = 4 V, I
CE
C =
C
1
A
70
250
hFE2
hh
VCE = 4 V, I
CE
C =
C
3
A
10
Collector-emitter saturation voltage *1
VCE(sat) IC = 3 A, I
C
B = 0.375 A
1.1
V
Transition frequency
fT
ff
VCB = 10 V, IC = 0.5 A, f = 10 MHz
C
30
MHz
Turn-on time
ton
tt
IC = 1 A, Resistance loaded
C
0.1
s
Storage time
tstg
IB1 = 0.1 A, IB2 = 0.1 A
2.3
s
Fall time
tftt
VCC = 50 V
CC
0.3
s
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classication
Rank
Q
R
hFE1
hh
70 to 150
120 to 250
Unit: mm
1: Base
2: Collector
3: Emitter
MT-4-A1 Package
10.0±0.2
0.65±0.1
0.35±0.1
2.5±0.2
1 2 3
0.65±0.1
1.2±0.1
1.48±0.2
2.25±0.2
C 1.0
0.55±0.1
2.5±0.2
1.05±0.1
13.0
±0.
2
4.
2
±0.
2
18.0
±0.
5
Solder
Dip
5.0±0.1
2.
5
±0.
1
90
°
1.0±0.2
Marking Symbol: D2691A
Internal Connection
B
C
E
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2691A 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2700TL 2000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SJ0364O 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SJ128 2 A, 100 V, 1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ179-T2 1500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2695(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
2SD2695(T6CANO,A,F 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2695(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2695(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2695,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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