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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2688LS |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220FI(LS), 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 27K |
| 代理商： | 2SD2688LS |
2SD2688LS
No.7526-2/4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
hFE -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
01
3
5
7
9
0
24
6
8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.01
0.1
1.0
2
3
5
2
3
5
7
10
7
2
3
5
7
23
5
7
2
3
5
7
1.0
10
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
4
6
12
8
10
0
3
2
0.1
1.0
10
23
5
7
2
3
5
7
5
7
1.0
10
3
2
5
7
100
IT02880
IT02882
IT02883
IT02881
--40
°C
25
°C
Ta=120
°C
VCE=5V
IC / IB=5
25°C
120°C
Ta= --40
°C
VCE=5V
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
IB=0
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.6A
2.0A
1.8A
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=7.2A, IB=1.44A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=7.2A, IB=1.44A
1.5
V
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
15
hFE2VCE=5V, IC=8A
5
8
Diode Forward Voltage
VF
IEC=8A
2
V
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A
0.3
s
Switching Time Test Circuit
++
PW=20
s
D.C.
≤1%
50
INPUT
RB
VR
RL=40.0
VCC=200V
VBE= --5V
IB1
IB2
470
F
100
F
OUTPUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2695 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2701TL | 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2704KT146 | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2714 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD471 | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2695(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
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| 2SD2695(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SD2695(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SD2695,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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