參數(shù)資料
型號： 2SD2678
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： 3A / 12V Bipolar transistor
中文描述： 第3A / 12V的雙極晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： 2SD2678
2SD2678
Transistors
z
Electrical characteristics curves
1000
2/2
10
100
1000
0.001
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
0.01
0.1
1
10
100
C
E
Fig.6 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
IC=0A
f=1MHz
Ta=
25 C
Cib
Cob
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=40 C
I
C
/I
B
V
=2V
Pulsed
Ta=25 C
Ta=
45 C
Ta=100 C
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
C
S
C
(
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
B
B
Fig.3 Base-emitter saturation voltage
vs.collector current
Ta=25 C
Pulsed
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=50/1
I
C
/I
B
=10/1
0.1
1
10
0.001
0.01
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V)
C
C
0.1
1
10
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
I
C
/I
B
=20/1
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=
45 C
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
T
T
Ta=
V
2V
f= 100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2679 2A / 30V Bipolar transistor
2SD2696 Low frequency transistor (for amplification)
2SD2767 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD930 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD287A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2679T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2A / 30V BIPOLAR TRANSISTOR 3MPT3 - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN BIPO 30V 2A MPT3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTR 2A 30V
2SD2686(TE12L,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans. NPN 60V 1A hfe2000min.
2SD2695(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
2SD2695(T6CANO,A,F 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1
2SD2695(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*