參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2657
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier
中文描述： 低頻放大器
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 89K
代理商： 2SD2657
2SD2657
Transistors
Low frequency amplifier
Rev.A
1/2
2SD2657
z
Application
Low frequency amplifier
Driver
z
Features
1) A collector current is large.
2) V
CE(sat)
≦
350mV
At I
C
= 1A / I
B
= 50mA
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
z
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TSMT3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
1
2
0.4
0.16
0~0.1
0
(3)
0.95
(2)
2.9
1.9
(1)
0.95
1.0MAX
0.7
Abbreviated symbol
:
FZ
Each lead has
same dimensions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
30
30
6
1.5
3
500
1
150
55 to
+
150
1
2
Unit
V
V
V
A
A
mW
W
°
C
°
C
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
1 Single pulse, P
W
=
1ms
2 Mounted on a 25
×
25
×
0.8mm Ceramic substrate
t
z
Packaging specifications
2SD2657
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
30
30
6
270
Typ.
140
Max.
100
100
350
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
300
11
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
100mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
30V
V
EB
=
6V
I
C
=
1A, I
B
=
50mA
V
CE
=
2V, I
C
=
100mA
Cob
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2658LS 2SD2685LS
2SD2661 Low frequency amplifier transistor(12V,2A)
2SD2670 Low frequency amplifier
2SD2672 Low frequency amplifier
2SD2673 Low frequency amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2657KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2661T100 功能描述:TRANS NPN 12V 2A MPT3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2662T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2670TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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