參數(shù)資料
型號： 2SD2655
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
中文描述： 東芝晶體管npn型硅外延型（厘工序）
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： 2SD2655
2SD2655
Rev.1, Jun. 2001, page 2 of 6
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25 °C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
ic(peak)
60
V
Collector to emitter voltage
50
V
Emitter to base voltage
6
V
Collector current
1
A
Collector peak current
2
A
Collector power dissipation
P
C
Tj
800*
mW
°
C
°
C
Junction temperature
150
55 to +150
Storage temperature
Tstg
Note:
*When using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
60
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
50
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
200
0.16
100
nA
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.1 A
I
= 0.5 A, I
B
= 0.05 A,
Pulse test
Emitter cutoff current
100
nA
V
DC current transfer ratio
500
Collector to emitter saturation
voltage
0.3
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
0.91
1.2
V
I
= 0.5 A, I
B
= 0.05 A,
Pulse test
Gain bandwidth product
f
T
Cob
280
MHz
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.1 A
V
= 10 V, I
E
= 0,
f = 1 MHz
Collector output capacitance
4.2
pF
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2SD2657KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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