參數(shù)資料
型號： 2SD2654VWTL
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-416
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 150毫安一（c）|的SOT - 416
文件頁數(shù)： 3/3頁
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代理商： 2SD2654VWTL
3
Power Transistors
2SD2209
R
th(t)
— t
10
–3
10
2
10
–2
1
Time t (s)
10
–1
10
10
3
10
4
0.1
1
10
100
1000
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
T
t
(
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PDF描述
2SD2228 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER
2SD2228D42 BJT
2SD2228D43 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
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參數(shù)描述
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2SD2656FRAT106 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:UMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2656T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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