參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2639E
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 48K
代理商： 2SD2639E
2SD2639
No.6960-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE
VCE=5V, IC=1A
1.5
V
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=5A, IB=0.5A
0.6
2.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=5mA, IE=0A
160
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
140
V
IC=50mA, RBE=∞
140
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=5mA, IC=0A
6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.26
μs
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
0.68
μs
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
6.88
μs
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7507-001
10.2
5.1
4.5
1.3
15.1
14.0
2.7
6.3
3.6
18.0
(5.6)
2.7
1.2
0.8
0.4
2.55
12 3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
0
2
1
3
4
5
6
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IT03155
IT03153
10
20
30
40
8
6
4
2
0
240mA 160mA
200mA
120mA
80mA
40mA
20mA
VCE=5V
RB
1Ω
VCC=20V
VBE=--2V
51Ω
Input
Output
++
PW=20μs
D.C.≤1%
RL
20Ω
1μF1μF
IB1
IB2
VR
200Ω
10IB1= --10IB2=IC=1A
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PDF描述
2SD2639 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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