參數(shù)資料
型號: 2SD2606
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 36K
代理商: 2SD2606
2
Power Transistors
2SD2605
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
0
10
8
2
6
4
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
B
=7mA
6mA
T
C
=25C
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
1.2
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
2.0
1.5
0.5
1.0
V
CE
=10V
T
C
=25C
C
C
10
–2
10
–1
1
10
10
–2
10
1
10
–1
I
C
/I
=10
T
C
=25C
Collector current I
C
(A)
C
C
10
–2
10
–1
1
10
1
10
10
2
10
3
10
4
V
CE
=10V
T
C
=25C
Collector current I
C
(A)
F
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2607
2SD2611 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220FN
2SD2614 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN
2SD2615
2SD2616 TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2607FU6 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 100V 8A 3-PIN(3+TAB) TO-220FN - Bulk 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN 100V 8A TO-220FN 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans Darlington NPN 100V 8A
2SD261 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92
2SD262 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 300V 12A 125W BEC
2SD2620G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2620J0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR