型號: | 2SD2606 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 36K |
代理商: | 2SD2606 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD2607 | |
2SD2611 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220FN |
2SD2614 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN |
2SD2615 | |
2SD2616 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD2607FU6 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 100V 8A 3-PIN(3+TAB) TO-220FN - Bulk 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN 100V 8A TO-220FN 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans Darlington NPN 100V 8A |
2SD261 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92 |
2SD262 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 300V 12A 125W BEC |
2SD2620G0L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD2620J0L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |