參數(shù)資料
型號： 2SD2605P
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT4, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 158K
代理商： 2SD2605P
2
Power Transistors
2SD2605
IC —VCE
IC —VBE
VCE(sat) —IC
hFE —IC
012
10
8
26
4
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
B=7mA
T
C=25C
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0
1.2
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
2.0
1.5
0.5
1.0
V
CE=10V
T
C=25C
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
10–2
10–1
110
10–2
10
1
10–1
I
C/IB=10
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
10–2
10–1
110
1
10
102
103
104
V
CE=10V
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2605Q 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2641 6 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SD261 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92
2SD262 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 300V 12A 125W BEC
2SD2620G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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