參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2561
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 17 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT-200, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 24K
代理商： 2SD2561
159
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
(Complement to type 2SB1648)
Application :
Audio, Series Regulator and General Purpose
External Dimensions
MT-200
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SD2561
150
150
5
17
1
200(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
2SD2561
100
max
100
max
150
min
5000
min
2.5
max
3.0
max
70
typ
120
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=150V
V
EB
=5V
I
C
=30mA
V
CE
=4V, I
C
=10A
I
C
=10A, I
B
=10mA
I
C
=10A, I
B
=10mA
V
CE
=12V, I
E
=–2A
V
CB
=10V, f=1MHz
Darlington
2S D2561
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
Safe Operating Area
(Single Pulse)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
0
0
10
5
15
17
2
4
6
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
5A
I
B
=0.3mA
0.5mA
0.8mA
2mA
1.0mA
10mA
1.5mA
3mA
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
0
3
2
1
0.2
1
0.5
10
5
200
100
50
Base Current I
B
(mA)
C
C
(
I
C
=.15A
I
C
=.10A
I
C
=.5A
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
0
15
17
5
10
0
2
2.6
1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=4V)
15 aeep
2Ca m
–Cem
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
Collector Current I
C
(A)
02
0.5
1
10
17
5
50000
1000
5000
10000
500
D
F
(V
CE
=4V)
Typ
02
0.5
1
10
17
5
50000
1000
5000
10000
500
D
F
(V
CE
=4V)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
Collector Current I
C
(A)
125C
–30C
25C
Time t(ms)
0.1
1
2
0.5
1
10
100
1000
2000
T
θ
j
(
θ
j-a
–t
Characteristics
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
0
–0.1
–1
–10
20
40
80
60
C
T
(
Z
)
(V
CE
=12V)
Emitter Current I
E
(A)
Pc–Ta Derating
200
160
120
80
40
5
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
2
3
1.05
+0.2
-0.1
B
E
5.45
±0.1
5.45
±0.1
2-3.2
±0.1
36.4
±0.3
9
24.4
±0.2
7
2
±
2
4
0.65
+0.2
-0.1
3.0
+0.3
-0.1
6.0
±0.2
2.1
a
b
C
Weight : Approx 18.4g
a. Type No.
b. Lot No.
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
40
R
L
(
)
4
I
C
(A)
10
V
(V)
–5
I
(mA)
–10
t
on
(
μ
s)
0.8typ
t
stg
(
μ
s)
4.0typ
t
f
(
μ
s)
1.2typ
I
(mA)
10
V
(V)
10
B
C
E
(70
)
Equivalent circuit
h
FE
Rank
O(5000to12000), P(6500to20000), Y(15000to30000)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2562 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
2SD2568 Power Transistor (400V, 0.5A)
2SD2607 Power Transistor(功率晶體管)
2SD2614 Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SD2616 Power Transistor(功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2562 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 15A TO3PF
2SD256500A 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD25730QA 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2576 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2578 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR2SD2578-RG
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