參數資料
型號： 2SD2386-B
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-16C1A, 3 PIN
文件頁數： 1/4頁
文件大小： 168K
代理商： 2SD2386-B
2SD2386
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington Power Transistor)
2SD2386
Power Amplifier Applications
High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min)
Complementary to 2SB1557
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
140
V
Collector-emitter voltage
VCEO
140
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
7
A
Base current
IB
0.1
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
70
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16C1A
Weight: 4.7 g (typ.)
BASE
EMITTER
≈ 100
COLLECTOR
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PDF描述
2SD2386A 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SD2394/E 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN
2SD2394F 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN
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