參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2353
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
中文描述： npn型三重?cái)U(kuò)散型（功率放大器應(yīng)用）
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大小： 181K
代理商： 2SD2353
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2357 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD2358 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD2359 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD2374 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD2374A Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2353(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SD235800A 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 1A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD235G 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 50V 3A 1.5W BCE
2SD2374 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2374AP 功能描述:TRANS NPN LF 80VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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