參數(shù)資料
型號: 2SD2351VWT106
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 50V五(巴西)總裁| 150毫安一(c)|的SC - 70
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 59K
代理商: 2SD2351VWT106
3
Power Transistors
2SD2209
R
th(t)
— t
10
–3
10
2
10
–2
1
Time t (s)
10
–1
10
10
3
10
4
0.1
1
10
100
1000
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2351W TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR
2SD2654VWTL TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-416
2SD2228 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER
2SD2228D42 BJT
2SD2228D43 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2353(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SD235800A 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 1A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD235G 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 50V 3A 1.5W BCE
2SD2374 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2374AP 功能描述:TRANS NPN LF 80VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR