參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2337
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 30K
代理商： 2SD2337
2SD2337
3
0
Ambient temperature Ta (
°
C)
Case temperature T
C
(
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
T
C
1.5 W
Ta
50
100
150
30
20
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
2
5
10
20
50
100 200
Area of Safe Operation
I
(Continuous)
DCOeain(T
C
=2
°
C
(15, 2 A)
(60, 0.4 A)
(150 V, 65 mA)
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
2
4
6
8
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
1 mA
2
3
4
5
6
7
9
10
8
1
2
5
10
20
50
100
200
1,000
500
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Typical Transfer Characteristics
T
C
= 75
°
C25
–25
V
= 4 V
Pulse
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PDF描述
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2SD2345GSL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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