參數(shù)資料
型號： 2SD2255
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification
中文描述： 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： 2SD2255
3
Power Transistors
2SD2255
R
th(t)
— t
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
0.1
1
10
100
1000
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) P
T
=10V
×
0.2A (2W) and without heat sink
(2) P
T
=10V
×
1.0A (10W) and with a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SD2257(CANO,Q,M) 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1
2SD2257(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 100V VCE1.5 Ic 3A High-Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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