參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2225
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
中文描述： 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SD2225
2
Transistor
2SD2225
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm
2
or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
200
160
120
80
40
Ta=25C
0.2mA
0.1mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
I
B
=1.0mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
Ta=–25C
25C
75C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0
600
500
400
300
200
100
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=10
F
F
–1
–3
–10
–30
–100
0
400
300
100
250
350
200
50
150
V
=10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
80
60
20
50
70
40
10
30
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
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