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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2213 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 中文描述： | npn型硅外延，達(dá)林頓 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SD2213 |
2SD2213
4
0.3
0.1
3
1.0
10
0.01
Collector Current I
C
(A)
C
C
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
3
0.03
0.3
1.0
0.1
10
I
C
/I
B
= 100
Ta = –25
°
C
25
°
C
75
°
C
1.0
3
0.3
30
10
300
100
1 m
Time t (s)
T
θ
j
°
C
Transient Thermal Resistance
10 m
1
10
100
1,000
100 m
Ta = 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2217 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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