參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2210
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
中文描述： 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： 2SD2210
2
Transistor
2SD2210
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
R
on
— I
B
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm
2
or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
6
5
4
1
3
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25C
2.5mA
2.0mA
1.5mA
0.5mA
1.0mA
3.0mA
3.5mA
I
B
=4.0mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=25
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
Ta=–25C
25C
75C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0
1200
1000
800
600
400
200
V
CE
=2V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
–1
–3
–10
–30
–100
0
400
300
100
250
350
200
50
150
V
=10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
24
20
16
12
8
4
I
=0
Ta=25C
f=1MHz
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0.01
0.1
1
10
0.03
Base current I
B
(mA)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
f=1kHz
V=0.3V
V
B
R
on
measuring circuit
I
B
=1mA
V
A
V
O
o
)
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2SD2210R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
2SD2210S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
2SD2210T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
2SD2211 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power Transistor (160V , 1.5A)
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