參數(shù)資料
型號: 2SD2200-Q
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: SMP-FD, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 52K
代理商: 2SD2200-Q
2SB1451/2SD2200
No.3151–3/4
VCE(sat) -- IC
ITR09716
ITR09713
ITR09714
ITR09715
VCE(sat) -- IC
--0.1
--0.01
2
3
25
3
--1.0
25
3
--10
22
5
3
5
--100
--10
2
3
5
--1.0
2
3
5
2
3
5
--0.1
--0.01
--0.1
--0.01
3
25
3
--1.0
25
3
--10
22
5
3
5
--100
--10
2
3
5
2
3
5
2
--1.0
--0.1
0.1
0.01
2
25
3
1.0
25
3
10
22
5
3
5
3
100
10
2
5
1.0
2
5
2
5
0.1
0.01
ITR09711
ITR09712
hFE -- IC
23
5
23
5
22
3
5
--1.0
--10
--0.01
--0.1
100
1000
3
2
5
3
2
5
10
1.0
3
2
5
23
5
23
5
22
3
5
1.0
10
0.01
0.1
100
1000
3
2
5
3
2
5
10
1.0
3
2
5
hFE -- IC
--0.2
0
--0.4
--0.6
--1.0
--1.2
--0.8
--1.4
--8
--6
--10
--4
--12
--2
0
IC -- VBE
0.8
0.2
0
0.4
0.6
1.0
1.4
1.2
2
0
10
8
6
4
12
IC -- VBE
2SB1451
VCE=--2V
2SB1451
VCE=--2V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
Ta=120
°C
ITR09717
VBE(sat) -- IC
2SD2200
VCE=2V
2SD2200
VCE=2V
T
a=120
°C
25
°C
--
4
C
Ta=120°C
25
°C
--40°C
2SB1451
IC / IB=10
2SB1451
IC / IB=10
2SD2200
IC / IB=10
25
°C
--40°
C
Ta=--40°C
25
°C
120°C
0.1
0.01
3
25
3
1.0
25
3
10
22
5
3
5
100
10
2
3
5
2
3
5
2
1.0
0.1
ITR09718
VBE(sat) -- IC
Ta=--40°C
25
°C
120°C
2SD2200
IC / IB=10
25°
C
--40
°C
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
C
o
ll
ector-to-Em
itter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
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PDF描述
2SB1451S 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1451-R 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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