參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2178
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-3-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商： 2SD2178
Power Transistors
2SD2178
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: May 2003
SJD00251BED
For low-frequency output amplification
■
Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Large collector current I
C
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
= 1 mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
200 mA
V
CE
=
2 V, I
C
=
1 A
I
C
=
1 A, I
B
=
50 mA
I
C
=
1 A, I
B
=
50 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
CBO
h
FE1
*
5
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
120
340
h
FE2
V
CE(sat)
80
Collector-emitter saturation voltage
0.15
0.30
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
0.9
1.2
V
Transition frequency
f
T
C
ob
150
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
23
35
pF
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
I
CP
2
A
Peak collector current
3
A
Collector power dissipation
P
C
1.5
W
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Rank classification
Rank
R
S
h
FE1
120 to 240
170 to 340
7.5
±
0.2
0.65
±
0.1
2
±
0
0.7
±
0.1
1.15
±
0.2
2.5
±
0.2
2.5
±
0.2
0.85
±
0.1
1.0
±
0.1
0.7
±
0.1
1.15
±
0.2
0.5
±
0.1
1
0.8 C
2
3
0.4
±
0.1
4.5
±
0.2
0.8 C
0.8 C
3
±
0
1
±
1
1
±
0
2
±
0
9
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-3-A1 Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2179 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD217 NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
2SD218 NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
2SD2180 2SD2180
2SD2184 Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type)
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2SD2178R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2178S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
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