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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2144STP/U |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SPT, SC-72, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | 2SD2144STP/U |
2SD2114K / 2SD2144S
Transistors
Rev.A
1/4
High-current Gain Medium
Power Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114K / 2SD2144S
Features
1) High DC current gain.
hFE = 1200 (Typ.)
2) High emitter-base voltage.
VEBO =12V (Min.)
3) Low VCE (sat).
VCE (sat) = 0.18V (Typ.)
(IC / IB = 500mA / 20mA)
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
2SD2144S
2SD2114K
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
0
0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3
0.6
1.1
0.8
±0.1
0.15
0.4
2.9
±0.2
1.9
±0.2
0.95 0.95
+
0.2 0.1
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
Abbreviated symbol: BB
All terminals have same dimensions
Denotes hFE
3±
0.2
(15Min.)
4
±0.2
2
±0.2
0.45
0.5
0.45
5
(1) (2) (3)
0.05
+0.15
0.05
2.5+0.4
0.1
3Min.
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
25
V
A(DC)
W
°C
20
12
0.5
A(Pulse)
1
0.2
0.3
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
Single pulse Pw=100ms
2SD2114K
2SD2144S
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2144STPU | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2146T105/N | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2146T105/R | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2146T105 | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2146T105Q | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2144STPV | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2144STPW | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2144SU | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) |
| 2SD2144S-UVW | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD2144SV | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) |
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