參數(shù)資料
型號： 2SD2132
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至92
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： 2SD2132
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PDF描述
2SD2133Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
2SD2133R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
2SD2133S TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
2SD2134Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
2SD2134R TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2133 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD21330RA 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 1A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD21330SA 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 1A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2133Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
2SD2133R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
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