參數(shù)資料
型號： 2SD2128
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重擴散（三倍擴散npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： 2SD2128
2SD2128
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
1
Tj
60
V
Collector to emitter voltage
60
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
3
A
Collector peak current
6
A
Collector power dissipation
2
W
25
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
60
—
—
V
I
C
= 0.1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
60
—
—
V
I
C
= 25 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
—
—
10
μ
A
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
CE
= 50 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 3 V, I
C
= 1.5 A*
1
I
C
= 1.5 A, I
B
= 3 mA*
1
I
C
= 3 A, I
B
= 30 mA*
1
I
C
= 1.5 A, I
B
= 3 mA*
1
I
C
= 3 A, I
B
= 30 mA*
1
—
—
10
DC current transfer ratio
1000
—
20000
Collector to emitter saturation
—
—
1.2
V
voltage
—
—
2.5
Base to emitter saturation
—
—
2.0
V
voltage
Note:
—
—
3.5
1. Pulse test.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2143 Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SD2397 Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60【10V, 2A)
2SD2212 Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SD2144S High-current Gain Medium Power Transistor(大電流增益中等功率晶體管)
2SD2114K High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2129 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SD2129(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
2SD2129,ALPSQ(M 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2129,LS4ALPSQ(M 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2129_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Power Switching Applications
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*