型號(hào): | 2SD2128 |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大小: | 344K |
代理商: | 2SD2128 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD2132 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
2SD2133Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
2SD2133R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
2SD2133S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
2SD2134Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD2129 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
2SD2129(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
2SD2129,ALPSQ(M | 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SD2129,LS4ALPSQ(M | 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SD2129_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Power Switching Applications |