- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369160 > 2SD2114KW (Rohm CO.,LTD.) High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2114KW |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) |
| 中文描述： | 高電流增益MediumPower晶體管（20V的，0.5A的） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 2SD2114KW |
(96-232-C107)
External dimensions (Units: mm)
232
Transistors
High-current Gain Medium
Power Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114K / 2SD2144S
Features
1) High DC current gain.
h
FE
= 1200 (Typ.)
2) High emitter-base voltage.
V
EBO
= 12V (Min.)
3) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.18V (Typ.)
(I
C
/ I
B
= 500mA / 20mA)
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2141 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管) |
| 2SD2161 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING |
| 2SD2161K | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
| 2SD2161L | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD2161M | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2115 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Planar |
| 2SD2115(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251AA |
| 2SD2115(L)-(1) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD2115(L)/(S) | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
| 2SD2115(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252AA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。