參數(shù)資料
型號： 2SD2064
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)
中文描述： 6 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SC-92, TOP-3F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： 2SD2064
2
Power Transistors
2SD2064
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
80
60
20
50
70
40
10
30
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=3W)
(1)
(2)
(3)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
12
10
8
6
4
2
I
B
=500mA
400mA
T
C
=25C
10mA
50mA
100mA
150mA
200mA
300mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
4
1
3
2
0
12
10
8
6
4
2
V
CE
=5V
T
C
=–25C
25C
100C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=5V
25C
–25C
T
C
=100C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
1000
100
10
3
30
300
V
=5V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
1
3
10
30
100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
t=10ms
100ms
DC
I
CP
I
C
Non repetitive pulse
T
C
=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
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2SD2064P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR
2SD2064Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR
2SD2064S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR
2SD2065 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistor
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