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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2029 |
| 廠(chǎng)商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) |
| 中文描述： | 12 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TOP-3L-A1, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SD2029 |
2
Power Transistors
2SD2029
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
200
150
50
100
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=3.5W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
20
16
12
8
4
T
C
=25C
600mA
500mA
400mA
I
B
=800mA
700mA
300mA
200mA
100mA
50mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.4
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
20
16
12
8
4
T
C
=–25C
25C
100C
V
CE
=5V
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
–25C
25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=5V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=5V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
1
3
10
30
100
10
10000
1000
100
30
300
3000
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
t=10ms
100ms
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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