參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2017
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： FM20, TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SD2017
142
Darlington
2S D2017
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
35
30
20
10
2
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
50x50x2
100x100x2
150x150x2
0
0
4
2
6
3
1
5
2
1
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
3
4
5
6
C
C
(
40mA
20mA
8mA
4mA
2mA
1mA
I
B
=0.4mA
0.03
0.1
1
0.5
6
5
5000
10000
1000
500
100
30
50
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=2V)
Typ
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
0
3
2
1
0.2 0.5
5
10
1
100
500 1000
50
Base Current I
B
(mA)
C
C
(
I
C
=1A
I
C
=3A
I
C
=8A
0
3
4
5
6
2
1
0
2
1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=2V)
0.03
0.1
1
0.5
5 6
5000
10000
1000
500
100
50
30
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=2V)
125C
25C
–30C
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
θ
j-a
–t
Characteristics
0.3
1
5
0.5
1
10
100
50
500
5
1000
Time t(ms)
T
θ
j
(
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
0
–0.5
–1
–5–6
20
10
30
C
T
(
Z
)
(V
CE
=12V)
Emitter Current I
E
(A)
Natural Cooling
Silicone Grease
Heatsink: Aluminum
in mm
Typ
Safe Operating Area
(Single Pulse)
10
3
5
300
100
50
0.05
0.02
1
0.1
0.5
10
20
5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
Without Heatsink
Natural Cooling
10ms
1m
D.C (T
C
=25C)
15CCsTm)
2Ca m
–CaTp
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
Application :
Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SD2017
300
250
20
6
1
35(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
2SD2017
100
max
10
max
250
min
2000
min
1.5
max
2.0
max
20
typ
65
typ
Unit
μ
A
mA
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=300V
V
EB
=20V
I
C
=25mA
V
CE
=2V, I
C
=2A
I
C
=2A, I
B
=2mA
I
C
=2A, I
B
=2mA
V
CE
=12V, I
E
=–1A
V
CB
=10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
External Dimensions
FM20(TO220F)
3.3
±0.2
10.1
±0.2
4
±
1
±
1
8
±
0
±
3
±
2.54
2.54
1.35
±0.15
0.85
+0.2
-0.1
1.35
±0.15
2.2
±0.2
4.2
±0.2
2.8
c0.5
2.4
±0.2
0.45
+0.2
-0.1
B
E
C
a
b
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
100
R
L
(
)
50
I
C
(A)
2
V
(V)
–5
I
(mA)
–10
t
on
(
μ
s)
0.6typ
t
stg
(
μ
s)
16.0typ
t
f
(
μ
s)
3.0typ
I
(mA)
5
V
(V)
10
Weight : Approx 2.0g
a. Type No.
b. Lot No.
B
(4k
)
C
E
Equivalent
circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2028 Low-Frequency Power Amp Applications
2SD2045 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
2SD2046 Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD2048 NPN Triple Diffused Planar Silicon Darlington Transistor for Driver Application(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN三路硅平面擴(kuò)散型達(dá)林頓晶體管)
2SD2049 NPN Triple Diffused Planar Silicon Darlington Transistor for Driver Application(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN三路硅平面擴(kuò)散型達(dá)林頓晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2017_01 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SD2018 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2019 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial
2SD202 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 110V 6A 50W BEC
2SD2023 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
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