參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1979
廠(chǎng)商: PANASONIC CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
中文描述: 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商: 2SD1979
2
Transistor
2SD1979
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
24
20
16
12
8
4
Ta=25C
I
B
=10
μ
A
1
μ
A
2
μ
A
3
μ
A
4
μ
A
5
μ
A
6
μ
A
7
μ
A
8
μ
A
9
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
1.2
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=2V
Ta=75C
–25C
25C
B
B
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
C
C
1
10
100
1000
3
30
300
0
2400
2000
1600
1200
800
400
V
CE
=2V
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(mA)
F
F
–1
–3
–10
–30
–100
0
120
100
80
60
40
20
V
=6V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
12
10
8
6
4
2
I
=0
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SD1992A Silicon NPN epitaxial planer type
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參數(shù)描述
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2SD1980TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
2SD1981-AE 制造商:SANYO 功能描述:NPN 80V 2A 1000 MP Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 100V 80A TO-226 制造商:Sanyo 功能描述:0