參數(shù)資料
型號： 2SD1975S
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP3L, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： 2SD1975S
2
Power Transistors
2SD1975, 2SD1975A
PC —Ta
IC —VCE
IC —VBE
VCE(sat) —IC
hFE —IC
fT —IC
Cob —VCB
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
200
150
50
100
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C=3.5W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
012
10
8
26
4
0
24
20
16
12
8
4
I
B=1000mA
T
C=25C
800mA
700mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
04
13
2
0
24
20
16
12
8
4
V
CE=5V
T
C=–25C
25C
100C
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
C/IB=10
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE=5V
25C
–25C
T
C=100C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE=10V
f=1MHz
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
1
3
10
30
100
10
10000
1000
100
30
300
3000
I
E=0
f=1MHz
T
C=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C=25C
t=10ms
100ms
DC
I
CP
I
C
2SD1975
2SD1975A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1975AS 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1975AQ 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1976 6 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1979GT 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1979GS 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1980TL 功能描述:達林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
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