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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1897/E |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 封裝： | TO-220FP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SD1897/E |
(96-768-D91)
(94S-314-D95)
317
Transistors
2SD1897
Transistors
2SD1757K
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1898-P-TP | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1899-ZL | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1899-Z-T1 | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1899-Z-T1M | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1899-Z-T2K | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1898T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1898T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1899-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,60V,3.0A,TO-252 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-252 |
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