參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1835S
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁|甲一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 405K
代理商： 2SD1835S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1835T TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
2SD1835U TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
2SD1840P Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1840Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR
2SD1841P TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-247VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1835S-AA 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1835T 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1835T-AA 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1843 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR SP-8 60V 1A 1W ECB
2SD1846 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSTOP-3FD 1500V 3.5A 60W BCE
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