參數(shù)資料
型號： 2SD1819GR
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 279K
代理商： 2SD1819GR
2SD1819G
2
SJC00372AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
IC VBE
IC IB
VCE(sat) IC
PC Ta
IC VCE
IB VBE
hFE IC
fT IE
0
160
40
120
80
0
200
160
120
80
40
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
010
8
26
4
0
60
50
40
30
20
10
Ta
= 25°C
IB
= 160 A
40
A
20
A
60
A
80
A
140
A
120
A
100
A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
1 200
1 000
800
600
400
200
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Base
current
I
B
(
A
)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
200
160
120
80
40
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0
1 000
800
200
600
400
0
240
200
160
120
80
40
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base current I
B (A)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
300
240
120
180
60
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
相關PDF資料
PDF描述
2SD1823T 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1824S 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1825 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1825 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1833/E 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1819GRL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SD1819-QRS 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD18200RL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 25VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1820A0L 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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