參數資料
型號： 2SD1818-M
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數： 1/3頁
文件大小： 196K
代理商： 2SD1818-M
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PDF描述
2SD1818-K 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1818-AZ 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1820GQ 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD1819ARL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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