參數(shù)資料
型號： 2SD1785
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達林頓晶體管)
中文描述： 6 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： FM20, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SD1785
137
Darlington
2S D1785
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
θ
j-a
–t
Characteristics
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
Safe Operating Area
(Single Pulse)
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
0.4
2
1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=2V)
0.5
1
5
1
10
100
1000
Time t(ms)
T
θ
j
(
30
20
10
2
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
–0.05
–0.1
–1
–0.5
–8
–5
50
120
100
C
T
(
Z
)
(V
CE
=12V)
Emitter Current I
E
(A)
Typ
0
0
2
4
8
6
2
6
4
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
0.7mA
1.5mA
1mA
2mA
3mA
5mA
10mA
20mA
0.5mA
0.4mA
I
B
=0.3mA
0
6
8
4
2
15CCs ep
2CCeep
0.03
0.1
1
5
10
100
500
1000
10000
5000
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=2V)
0.5
Typ
10
3
5
200
100
50
0.05
1
0.1
0.5
10
20
5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
Without Heatsink
Natural Cooling
DC
1m
1s
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
0
3
2
1
0.3
5
10
1
100
50
Base Current I
B
(mA)
C
C
(
I
C
=6A
2A
4A
Collector Current I
C
(A)
D
F
0.03 0.05
0.5
1
5
10
0.1
100
50
30
500
1000
5000
10000
(V
CE
=2V)
125C
25C
–30C
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
(Complement to type 2SB1258)
Application :
Driver for Solenoid, Relay and Motor, Series Regulator, and General Purpose
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SD1785
120
120
6
6(
Pulse
10)
1
30(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
2SD1785
10
max
10
max
120
min
2000
min
1.5
max
100
typ
70
typ
Unit
μ
A
mA
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=120V
V
EB
=6V
I
C
=10mA
V
CE
=2V, I
C
=3A
I
C
=2A, I
B
=3mA
V
CE
=12V, I
E
=–0.1A
V
CB
=10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
f
T
C
OB
External Dimensions
FM20(TO220F)
3.3
±0.2
10.1
±0.2
4
±
1
±
1
8
±
0
±
3
±
2.54
2.54
1.35
±0.15
0.85
+0.2
-0.1
1.35
±0.15
2.2
±0.2
4.2
±0.2
2.8
c0.5
2.4
±0.2
0.45
+0.2
-0.1
B
E
C
a
b
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
30
10
3
R
L
(
)
I
C
(A)
V
(V)
–1.5
I
(mA)
–3
t
on
(
μ
s)
0.5typ
t
stg
(
μ
s)
5.5typ
t
f
(
μ
s)
1.5typ
I
(mA)
3
V
(V)
10
Weight : Approx 2.0g
a. Type No.
b. Lot No.
B
C
E
(2.5k
)(200
)
Equivalent
circuit
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PDF描述
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2SD1788-4000 功能描述:達林頓晶體管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1788-7000 功能描述:達林頓晶體管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1788-7012 功能描述:達林頓晶體管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1788-7100 功能描述:達林頓晶體管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1788-7112 功能描述:達林頓晶體管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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