參數(shù)資料
型號： 2SD1766T100P
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-62, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SD1766T100P
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Transistors
Rev.A
3/3
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(mV)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.4
Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
500
20
200
100
50
5
10 20
50 100 200
500 1A 2A
Ta
=25°C
10
20
IC/IB
=50
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.5
Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
5
1
2
0.2
0.5
0.1
10 20
50 100 200
500 1A 2A
Ta
=25°C
IC/IB
=10
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
Fig.6
Transition frequency vs. emitter
current
2
1
200
5 10 20
50 100200 500 1A
500
1000
100
50
20
Ta
=25°C
VCE
=5V
0.5
200
10
500
1000
100
20
50
12
5
10
20
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IE
=0A
IC
=0A
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE
: VEB
(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:Cob
(pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:Cib
(pF)
Fig.7 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Cib
Cob
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.9
Safe operating area
5
0.1
50
2
0.2
0.5
1
0.1
0.05
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0.01
0.02
(2SD1758)
PW
=100ms
Tc
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.8 Safe operating area
0.01
5
0.1
50
2
0.2
0.5
1
0.1
0.02
0.05
0.2
0.5
1
2
5
10
20
(2SD1766)
Pw
=10ms
100ms
DC
Ta
=25
°C
Single
nonrepetitive
pulse
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
Ic Max
DC
Ic Max Pulse
Ta=25
°C
Single
nonrepetitive
pulse
Pw=10ms
Pw=100ms
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
3
2
1
0.1
0.2
0.5
0.05
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Fig.10
Safe operating area
(2SD1862)
相關PDF資料
PDF描述
2SD1781KT146/PQ 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1781KT146/P 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1781KT146QR 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1781KT146PQ 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1806TP-FA 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1766T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1766T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1767 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR SC-62 80V .7A .5W ECB SURFACE MOUNT
2SD1767T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1767T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*