參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1627
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： 2SD1627
2SD1627
No.2016-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=50mA
120
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=600mA, IB=0.15mA
0.9
1.5
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=600mA, IB=0.15mA
2.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10μA, IE=0A
30
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
25
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10μA, IC=0A
10
V
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm (typ)
7007B-004
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
012
4
35
ITR09996
IB=0μA
20
μA
40
μA
60
μA
80
μA
100
μA
120μA
0
2.4
2.0
0
0.8
0.4
1.6
1.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
VCE=2V
ITR10000
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
C
B
E
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PDF描述
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2SD1628F-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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