參數(shù)資料
型號： 2SD1626
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： 2SD1626
2SB1126 / 2SD1626
No.1721-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
4000
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)10mA
3000
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
120
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)0.5mA
(--)0.9
(--)1.5
V
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)0.5mA
(--)1.5
(--)2.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)10
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7007B-004
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
2SD1626
ITR08938
04
12
10
8
26
--1.6
--1.4
--1.0
--0.6
--1.2
--0.8
--0.4
--0.2
0
0--4
--12
--8
--10
--6
--2
--0.02mA
1.6
1.4
1.0
0.6
1.2
0.8
0.4
0.2
0
0.02mA
0.04mA
0.06mA
0.08mA
--0.04mA
--0.06mA
--0.08mA
IB=0mA
ITR08937
2SB1126
IB=0mA
相關PDF資料
PDF描述
2SB1127S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB1127S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB1127T 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB1127R 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB1131S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1626-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 50V 1.5A 4000 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 80V 50A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SD1627-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 25V 2A 4000 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 30V 25A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SD1628F-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1628F-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1628G-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*