參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1616AU
廠商： NEC Corp.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 145K
代理商： 2SD1616AU
UTC 2SD1616/A
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
2
QW-R201-008,A
CHARACTERISTIC
Storage Time
Fall Time
SYMBOL
ts
tf
TEST CONDITIONS
IB1=-IB2=10mA
VBE(off)=-2
～
-3V
MIN.
TYP.
0.95
0.07
MAX. UNIT
us
us
Classification of h
FE1
RANK
hFE1
Y
G
L
135-270
200-400
300-600
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1618T TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-89
2DS1618S 5-Pin, Multiple-Input, Programmable Reset ICs
2DS1618T BJT
2DS1618U 5-Pin, Multiple-Input, Programmable Reset ICs
2SB1118S 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
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參數(shù)描述
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2SD1618S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1618T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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