參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1615
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD
中文描述： NPN硅外延晶體管的微型模具
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SD1615
2
2SD1615, 2SD1615A
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
Whnmutdo eamcsbtaeo1 m
2
×
. mm
40
80
without heatsink
T
A
– Ambient Temperature – C
0
120
160
200
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
P
T
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
10
300 A
μ
200 A
200 A
150 A
100 A
I
B
= 50 A
μ
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
– Collector to Emitter Voltage – V
I
C
1000
500
200
100
50
20
10
5
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
I
C
– Collector Current – A
0.5
1
2
5
10
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
h
E
V
CE
=
2.0 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
3.0 mA
2.5 mA
2.0 mA
1.5 mA
1.0 mA
I
B
= 0.5 mA
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
V
CE(sat)
– Collector Saturation Voltage – V
I
C
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
I
C
– Collector Current – A
0.5
1
2
5
10
COLLECTOR AND BASE SATURATION
VOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT
V
C
V
B
3.5 mA
40mA
5.0 mA
4.5 mA
I
C
=
20·I
B
V
CE(sa)
V
BE(sat)
SAFE OPERATING AREA
(TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
METHOD)
1 pulse
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
V
CE
– Collector to Emitter Voltage – V
2
5
10
20
50
100
I
C
2
200m
1 m
DC
2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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