參數(shù)資料
型號: 2SD1527
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述: 硅npn型三重?cái)U(kuò)散(三倍擴(kuò)散npn型晶體管)
文件頁數(shù): 2/6頁
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代理商: 2SD1527
2SD1527
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
C
= 1 mA, R
BE
=
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
1000
V
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
= 1 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
BE
V
CE (sat)
10
μA
V
CB
= 800 V, I
E
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA
I
C
= 300 mA, I
B
= 60 mA
DC current transfer ratio
10
10
Base to emitter voltage
1.2
V
Collector to emitter saturation
voltage
5
V
Gain bandwidth product
f
T
Cob
5
MHz
V
CE
= 20 V, I
C
= 50 mA
V
CB
= 100 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Collector output capacitance
5
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SD1577 Silicon Diffused Power Transistor
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2SD1609 Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1527(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1531 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS. TO-126B 50V 2A 1.2W ECB
2SD1535 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 7A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1536M 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1537 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 40V 3A 25W BCE