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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1520S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
| 中文描述： | npn型硅外延（外延npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SD1520S |
2SD1520(L)/(S)
3
Maximum Collector Dissipation
Curve
30
20
10
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
C
30
10
3
1.0
0.3
0.1
C
C
0.03
1
2
10
50
5
20
100
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
i
C(peak)
I
C(max)
D T
C
5
°
C
PW=1 m
1m
10
μ
s
Area of Safe Operation
Ta = 25
°
C
1 shot pulse
1
μ
s
Typical Output Characteristecs
5
4
3
2
1
0
2
4
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
10
8
6
C
C
T
C
= 25
°
C
P
C
=2 W
I
B
= 0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
1.0 mA
30,000
10,000
1,000
3,000
300
100
30
0.1
0.5
0.2
10
2
1.0
5
D
F
Collector current I
C
(A)
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
T
C
=75
°
C
T
C
= –25
°
C
V
CE
= 3 V
T
C
=25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD1521 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
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| 2SD1577 | Silicon Diffused Power Transistor |
| 2SD1610 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SD1525 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1525(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 100V VCE 5V Ic 30A hFE 1000 min RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1526 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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